“硅基半导体的未来是可预计的，但我们之前的投入不能就此搁浅，所以我们并没有停止追求在保持器件特性的同时，进一步降低故障率。

作为技术供应商，我们一直在寻找通过新设备获得更高性能的方法，同时我们也在调整晶圆厂的制造工艺。

在晶圆厂中，我们对平面栅极和沟槽栅极功率使用了许多创新的工艺步骤，创新也就意味着错误繁多、兼容难做，有时候一个技术点的差异就会导致整块晶圆报废。

比如更厚、更轻掺杂的堆栈，支持更高的击穿电压，但导通电阻增加。

所以为了在器件上形成沟槽，某些情况下，沟槽尺寸被我们做到了1μm（微米甚至更小的程度。

为了形成沟槽，我们必须要在器件上沉积另一个掩模层，并且在其中注入掺杂剂。

沟槽被图桉化，然后被蚀刻，由于沟槽填充有栅极材料，所以最后形成源极和漏极。

这些步骤每一步都极为重要，需要感谢的是我们大夏官方某蚀刻研究院提供的技术支持，让我们用上了世界上最顶尖的蚀刻技术。”

从晶圆到切晶圆、蚀刻、光刻搞芯片，到后面，顾青甚至为这些科技公司的高层们讲解起自家九州科技公司对部分半导体芯片问题的解决方向和具体方案。

“西方所谓的3d立体芯片与我们之前的堆叠芯片其实是一个东西，就像是修房子一样一层层的把芯片叠起来，从一套一套的平房堆叠成数层楼的居民楼房。